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深圳市心怡創(chuàng)科技有限公司
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日立 SU-5000 場發(fā)射電鏡到貨通知
點擊次數(shù):31 更新時間:2026-03-06

                                               二手  HITACHI  SU-5000  高分辨掃描電鏡


尊敬的客戶:你好


最新消息:2026年3月6號心怡創(chuàng)科技到貨了;到貨了;到貨了;到貨了;都是無損檢測分析設(shè)備;


電鏡儀器型號如下:HITACHI  SU-5000



在心怡創(chuàng)整體員工銷售和售后兩個團隊的協(xié)助下,完成了儀器在倉庫的安裝。主要還是由售后林工和陳工的協(xié)助下


入庫擺放工作。


位置:深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道固戍社區(qū)深圳前灣硬科技產(chǎn)業(yè)園




日立 SU-5000 場發(fā)射電鏡到貨通知

日立 SU-5000 場發(fā)射電鏡到貨通知


二手 HITACHI  SU-5000 冷場發(fā)射電鏡


一、技術(shù)參數(shù):
  

基本概述

SU-5000 是日立高新 2014 年推出的肖特基熱場 FE-SEM,搭載EM Wizard智能操作向?qū)?,兼顧新手易用性與專家級高分辨率 / 大束流分析能力;支持高真空、低真空(10–300 Pa)與減速模式(低電壓成像),適配從金屬、半導體、高分子到含水 / 絕緣樣品的觀測與微區(qū)成分 / 晶體學分析。

核心技術(shù)參數(shù)

項目參數(shù)詳情
分辨率1.2 nm @ 30 kV(高真空 SE);3.0 nm @ 1 kV;2.0 nm @ 1 kV(減速模式,選配);3.0 nm @ 15 kV(低真空模式,選配)
放大倍率底片:10–600,000×;顯示:18–1,000,000×(800×600)、30–1,500,000×(1280×960)
電子槍ZrO/W 肖特基熱場發(fā)射電子槍
加速電壓0.5–30 kV(0.1 kV 步進);減速模式著陸電壓 0.1–2.0 kV
最大束流>200 nA(滿足 EDS/WDS/EBSD 高效定量)
探測器標配 / 選配標配低位 SE 探測器;選配頂位 SE、PD-BSD 五分割背散射、UVD 低真空探測器
5 軸樣品臺X:0–100 mm,Y:0–50 mm,Z:3–65 mm,T:-20° 至 90°,R:360° 連續(xù);最大樣品 Φ200 mm×80 mm
真空系統(tǒng)高真空 + 低真空(10–300 Pa),換樣抽至觀察真空≤3 分鐘

關(guān)鍵功能特點

  1. EM Wizard 智能控制:一鍵式條件選擇、自動光軸校準、實時圖像優(yōu)化,降低操作門檻;3D MultiFinder 實現(xiàn)傾斜 / 旋轉(zhuǎn)時圖像自動居中對焦。

  2. 低電壓 / 低真空強性能:100 V 極低壓成像,減少電子束損傷;UVD 探測器在低真空下依然保持高信噪比,適合不導電、含水、多孔樣品(如生物、高分子、陶瓷)。

  3. 大樣品 + 快速換樣:抽拉式樣品倉,支持 Φ200 mm 的大直徑樣品,開倉換樣無需復(fù)雜抽真空等待。

  4. 多分析附件兼容:無縫對接 EDS(能譜)、WDS(波譜,高精度成分)、EBSD(背散射電子衍射,晶體取向 / 織構(gòu)),可實現(xiàn)形貌–成分–晶體結(jié)構(gòu)一體化表征。

可選配置與附件

  • 探測器類:頂位高分辨 SE 探測器、PD-BSD(5 分割半導體 BSE,襯度可調(diào))、UVD 低真空探測器;

  • 分析模塊:EDS(牛津 / 布魯克等)、WDS、EBSD、陰極熒光(CL);

  • 樣品處理 / 環(huán)境:低溫臺、真空鍍膜儀(噴金 / 噴碳);

  • 軟件擴展:3D 重建、自動拼圖、顆粒統(tǒng)計。

維護保養(yǎng)要點

  1. 電子槍維護:肖特基槍需穩(wěn)定真空與控溫,避免頻繁斷束;定期檢查燈絲壽命,清潔電子光學通道(防污染影響分辨率);

  2. 真空系統(tǒng):保持真空泵油 / 離子泵正常狀態(tài),定期更換濾芯;低真空模式后及時恢復(fù)高真空,防止污染擴散;

  3. 探測器清潔:SE/BSD 探測器窗口避免樣品顆粒濺射,定期用無水乙醇擦拭(斷電真空恢復(fù)后操作);

  4. 樣品臺校準:長期使用后需執(zhí)行 5 軸自動校準,確保移動精度與圖像無漂移;

  5. 軟件與硬件備份:定期更新 EM Wizard 固件,備份參數(shù)與數(shù)據(jù),防止系統(tǒng)異常導致數(shù)據(jù)丟失。

典型應(yīng)用領(lǐng)域

  • 材料科學:納米顆粒、薄膜、復(fù)合材料的形貌與成分分析;

  • 半導體與電子:芯片失效分析、封裝材料、PCB 微結(jié)構(gòu);

  • 生命科學與生物:細胞、組織(臨界點干燥 / 冷凍)、微生物表面結(jié)構(gòu);

  • 地質(zhì)與礦物:巖石、礦物的微區(qū)成分與晶體取向;

  • 高分子與聚合物:PTFE、塑料、纖維的表面與斷面形貌。

補充信息與資源

  • 資料:日立高新 SU5000 中文頁面;

  • 選型建議:若以低電壓、絕緣樣品為主,優(yōu)先選配減速模式 + 頂位 SE+UVD;若需做 EBSD,需配合大束流與 PD-BSD 探測器;

  • 運行環(huán)境:建議恒溫 20–24℃,濕度 40%–60%,無振動、無強電磁干擾的實驗室。


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